Indium Oxide یک ماده جدید نیمه هادی شفاف N جدید با شکاف باند گسترده ، مقاومت کوچک و یک فعالیت کاتالیزوری بالا است. هنگامی که اندازه ذرات اکسید ایندیم به سطح نانومتر برسد ، علاوه بر عملکردهای فوق ، علاوه بر اثرات سطح ، اثرات اندازه کوانتومی ، اثرات اندازه کوچک و اثرات کوانتومی ماکروسکوپی نانومواد ، اکسید نانو-هندی نیز به طور گسترده در دستگاه های نوری ، سلول های Solar ، نمایش های کریستال مایع و سنسورهای گاز استفاده می شود.

یک آزمایش کاغذی نشان می دهد که سنسورهای گاز ساخته شده توسط نانوذرات IN2O3 نسبت به بسیاری از گازها مانند الکل ، HCHO ، NH3 و غیره حساسیت زیادی دارند. زمان پاسخ کمتر از 20 ثانیه است و زمان بهبودی کمتر از 30 ثانیه است.